SCYC51040 58052680E ABB 控制器

绝缘栅双极晶体管（IGBT)是三端的功率半导体器件主要形成电子开关。它的开发结合了高效率和快速切换。它由四个交替层(P–N–P–N)组成，由金属-氧化物-半导体(MOS)大门结构。

SCYC51040 58052680E虽然IGBT的结构在拓扑上类似于半导体闸流管利用“MOS”栅极(MOS栅晶闸管)，晶闸管动作被完全抑制，只有晶体管在整个设备操作范围内允许动作。[①③ ③ ⑥ ⑤ ⑼ 0⑨ ③ 0⑦]它被用于开关电源在高功率应用中:变频驱动器(VFD)，电动汽车火车、变速冰箱、灯镇流器、弧焊机、电磁炉和空调。

SCYC51040 58052680E由于它被设计为快速打开和关闭，IGBT可以合成复杂的波形脉冲宽度调制和低通滤波器，因此它也用于开关放大器在音响系统和工业中控制系统。在开关应用中，现代器件的特点是脉冲重复率远在超声波范围的频率，这比该器件用作模拟音频放大器时处理的音频频率至少高10倍。截至2010年IGBT是第二大使用最广泛的功率晶体管，仅次于功率MOSFET。

IGBT单元的结构类似于n沟道垂直结构功率MOSFET除了用p+集电极层代替n+漏极，从而形成垂直PNP双极结晶体管。这个额外的p+区域产生了PNP双极结晶体管与表面n沟道的级联连接金属氧化物半导体场效应晶体管。

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